VND14NV04-E


Купить VND14NV04-E по цене 121.54 руб.  (без НДС 20%)
VND14NV04-E
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
VND14NV04-E (ST MICROELECTRONICS) 3 121.54 
VND14NV04-E цена радиодетали 141.80 

Версия для печати

Технические характеристики VND14NV04-E

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияOMNIFET II™
ТипLow Side
Тип входаNon-Inverting
Число выходов1
Сопротивление (On-State)35 mOhm
Ток выходной / канал7A
Ток - выходной (пиковое значение)18A
Рабочая температура-40°C ~ 150°C
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    22МКФ 50В (8X7) Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 50В     Заказ радиодеталей 20.40 
  FSDM311 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  FSDM311 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  FSDM311 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
  FSDM311 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
  FSDM311 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz     32 113.68 
  FSDM311 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz   FSC1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  FSDM311 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
  FSDM311 SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.55A, 67kHz   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт     Заказ радиодеталей 1 329.60 
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4 Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFR5305 Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFR5305 Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...     4 000 24.48 
IRFR5305 Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...   INTERNATIONAL RECTIFIER 6 цена радиодетали
IRFR5305 Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFR5305 Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...   IR/VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFR5305 Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...   SLKOR 7 680 36.75 
IRFR5305 Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...   JSMICRO 3 928 34.62 
IRFR5305 Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...   EVVO 2 740 26.44 
    ТЕРМОУСАДКА КЛЕЕВАЯ Ф12.7 ЖЕЛ       Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход