|
Корпус | PowerSO-20 |
Корпус (размер) | PowerSO-20 Exposed Bottom Pad |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Напряжение питания | 4.5 V ~ 5.5 V |
Ток - выходной (пиковое значение) | 1.4A |
Сопротивление (On-State) | 750 mOhm |
Число выходов | 8 |
Тип входа | SPI |
Тип | Low Side |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
L9825 (Автоматизация) Octal Low-side Driver For Resistive and Inductive Loads With Serial / Parallel Input Control, Output Protection and Diagnostic
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CLV1A-FKB-CHMKPEHBB7A463 | Светодиод маломощный сверхъяркий | CREE | ||||||
CLV1A-FKB-CHMKPEHBB7A463 | Светодиод маломощный сверхъяркий | |||||||
CLV1A-FKB-CHMKPEHBB7A463 | Светодиод маломощный сверхъяркий | Cree Inc | ||||||
HIP9011AB | Процессор сигнальный для ДВС | INTERSIL | ||||||
HIP9011AB | Процессор сигнальный для ДВС | 592.00 | ||||||
ST10F276Z5Q3 | ST MICROELECTRONICS | |||||||
ST10F276Z5Q3 | 1 920.00 | |||||||
ST10F276Z5Q3 | STMicroelectronics | |||||||
ST10F276Z5Q3 | КИТАЙ | |||||||
ST10F276Z5Q3 | ST MICROELECTRONICS SEMI | |||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | |||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO |
|