|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
8
|
108.90
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
|
|
169.84
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/SM |
|
EEPROM serial, 2,5V, 64Kx8, 900нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.68
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
18 957
|
2.24
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 008
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
3 807
|
1.38
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
782 474
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
720 842
|
1.29
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
97 816
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1 058.02
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
|
57 011
|
3.72
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
YOUTAI
|
70 484
|
3.55
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HUASHUO
|
14 305
|
5.46
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
479 745
|
4.13
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
INFINEON
|
38
|
13.95
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
305 399
|
8.77
|
|
|
|
IRLML6402 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET
|
UMW
|
25 600
|
3.10
|
|
|
|
SS26 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
|
15 160
|
1.73
|
|
|
|
SS26 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
FAIRCHILD
|
33
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
614
|
9.39
|
|
|
|
SS26 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
YJ
|
216 481
|
3.09
|
|
|
|
SS26 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
HOTTECH
|
12 928
|
3.99
|
|
|
|
SS26 |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
MDD
|
43 580
|
1.78
|
|
|
|
SS26 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
SS26 |
|
|
JSCJ
|
30 380
|
3.38
|
|
|
|
SS26 |
|
|
SEMTECH
|
22 925
|
9.83
|
|
|
|
SS26 |
|
|
MIC
|
7 330
|
2.63
|
|
|
|
SS26 |
|
|
JINGDAO
|
72 950
|
2.14
|
|
|
|
TA7291P |
|
VCR дpайвеp двигателя, Iout=2.0A
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TA7291P |
|
VCR дpайвеp двигателя, Iout=2.0A
|
|
|
112.60
|
|
|
|
TA7291P |
|
VCR дpайвеp двигателя, Iout=2.0A
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TA7291P |
|
VCR дpайвеp двигателя, Iout=2.0A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|