|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
PWM Type | Voltage Mode |
Число выходов | 2 |
Частота -макс. | 500kHz |
Duty Cycle | 49% |
Напряжение питания | 8 V ~ 35 V |
Buck | Да |
Boost | Нет |
Flyback | Нет |
Inverting | Нет |
Doubler | Нет |
Divider | Нет |
Cuk | Нет |
Isolated | Нет |
Рабочая температура | -25°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 18-DIP |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805 430К 1% | ||||||||
1206 12К 1% | ||||||||
APT60M75JVR | APT | |||||||
APT60M75JVR | Microsemi Power Products Group | |||||||
APT60M75JVR | ||||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FAIR | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | INTERSIL | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FSC | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | 500.00 | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FAIRCHILD | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ONS-FAIR | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ONS | ||||||
HGTG20N60A4 | Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ON SEMICONDUCTOR |
|