|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
12 278
|
2.63
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 306
|
2.67
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
84 056
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
22 398
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
11 310
|
1.80
>100 шт. 0.90
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
5.90
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
200 532
|
1.97
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
81 600
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 702
|
25.05
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
|
2 800
|
30.10
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
FULIHAO TECH
|
4 320
|
10.82
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TECH PUB
|
3 360
|
15.63
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
FULIHAO
|
2 681
|
8.49
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
|
|
|
|