|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
12 727
|
2.94
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
18 386
|
2.89
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
123 423
|
1.03
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
34 846
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.98
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
9 735
|
1.01
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
4.92
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
139 053
|
1.38
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFB4020PBF |
|
Транзистор N-Канальный 200V 18A 100W 0,1R
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRS21867SPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 704
|
27.06
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
|
2 800
|
30.10
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
FULIHAO TECH
|
4 320
|
11.81
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
TECH PUB
|
3 504
|
17.50
|
|
|
|
LMV331IDBVR |
|
Компаратор (Vcc=2,75,5V, Vio=1.7mV, Vout=Vcc+0.3, t=-40.+85C)
|
FULIHAO
|
2 761
|
12.66
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
24
|
|
|
|
|
STP11NM60FD |
|
N-channel 600v - 0.40? - 11a - to-220 fdmesh™ power mosfet (with fast diode)
|
|
|
|
|