|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
США
|
|
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
|
|
1 080.00
|
|
|
|
AD9833BRMZ |
|
Синтезатор прямого цифр.синтеза, 10 бит, 25MSPS, SPI, Iп=4.5мА, Uп=2.3..5.5В, -40..+105°С
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AT90CAN128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, CAN 2.0A & ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT90CAN128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, CAN 2.0A & ...
|
|
|
1 069.12
|
|
|
|
AT90CAN128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, CAN 2.0A & ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
AT90CAN128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, CAN 2.0A & ...
|
ATMEL CORPORATION
|
400
|
|
|
|
|
AT90CAN128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, CAN 2.0A & ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
AT90CAN128-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (128K ISP Flash, 4K EEPROM, 4K SRAM, JTAG, CAN 2.0A & ...
|
MICRO CHIP
|
224
|
1 180.80
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
25 112
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
5 532
|
2.85
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
131 181
|
1.88
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
970
|
1.20
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
190
|
2.95
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
68
|
2.60
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
88 716
|
1.83
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
4 622
|
1.66
|
|
|
|
MC34063ABN |
|
Преобразователь DC-DC c цепью управления 1,5А, 40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC34063ABN |
|
Преобразователь DC-DC c цепью управления 1,5А, 40V
|
ST MICROELECTRONICS
|
160
|
37.43
|
|
|
|
MC34063ABN |
|
Преобразователь DC-DC c цепью управления 1,5А, 40V
|
|
|
74.00
|
|
|
|
MC34063ABN |
|
Преобразователь DC-DC c цепью управления 1,5А, 40V
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MC34063ABN |
|
Преобразователь DC-DC c цепью управления 1,5А, 40V
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
SN74LVC07ADR |
|
Hex buffer with open-drain outputs SO14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
6 000
|
9.45
|
|
|
|
SN74LVC07ADR |
|
Hex buffer with open-drain outputs SO14
|
|
3 101
|
17.60
|
|
|
|
SN74LVC07ADR |
|
Hex buffer with open-drain outputs SO14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC07ADR |
|
Hex buffer with open-drain outputs SO14
|
TEXAS
|
|
|
|