|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
G1906 |
|
Корпус ударопрочный жаростойкий 69.5*50.5-21мм
|
GAINTA
|
906
|
168.79
|
|
|
|
G1906 |
|
Корпус ударопрочный жаростойкий 69.5*50.5-21мм
|
|
|
|
|
|
|
G1906 |
|
Корпус ударопрочный жаростойкий 69.5*50.5-21мм
|
RCT
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 431
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
19 098
|
28.14
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
|
8 880
|
11.57
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TRR
|
6 880
|
4.92
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRONICS
|
67 735
|
10.58
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SGS
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
|
44 619
|
24.64
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
SGS THOMSON
|
916
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
432
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
STMICROELECTRONICS
|
31 416
|
8.42
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM2904DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель 2кан., 1.1МГц, 3-30В
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
|
230
|
72.00
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMI
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 267
|
16.00
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
|
6 136
|
10.93
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL431ACDBZR |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый 3-36V 0,1A
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|