Версия для печати
Технические характеристики L7815ABD2T-TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Топология регулятора	Positive Fixed
Напряжение выходное	15V
Напряжение входное	Up to 35V
Напряжение - падение (Typ.)	2V @ 1A
Число регуляторов	1
Ток выходной	1.5A
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

Линейный стабилизатор напряжения положительная полярность , повышеная точность, 15В, 1.5А, 4% L7815ABD2T-TR datasheet 2,09MB 57стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 457	15.46
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	6 562	12.06
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	4 044	10.05
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		PC357N2TJ00F			SHARP
		PC357N2TJ00F			Sharp Microelectronics
		PC357N2TJ00F			SHARP	56
		PC357N2TJ00F
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V		4	19.36
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	КИТАЙ
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	FAIRCHILD
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	TEXAS INSTRUMENTS	800	17.85
		TL431AILP		Источник опорного напряжения			18.12
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	TEXAS
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	Microsemi Analog Mixed Signal Group
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	ON Semiconductor
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	КИТАЙ
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	TEXAS INSTRUMENTS
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	TEXAS INSTRUMEN
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	0.00
		TL431AILP		Источник опорного напряжения	ТI
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	TOSHIBA	2 560	58.06
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная		60	52.80
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	TOS
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	ТАИЛАНД
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	ISOCOM	84	15.74
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	CHINA
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	ISO
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"