|
Корпус | P-TO220-5-122 |
Корпус (размер) | TO-263-6, D²Pak (5 leads + Tab), TO-263BA |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
Ток минимальный предел тока | 400mA |
Ток выходной | 400mA (Max) |
Число регуляторов | 1 |
Напряжение - падение (Typ.) | 0.25V @ 250mA |
Напряжение входное | 4.5 V ~ 40 V |
Напряжение выходное | 2.5 V ~ 20 V |
Топология регулятора | Positive Adjustable |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
TLE 4276 Low-Drop Voltage Regulator Также в этом файле: TLE4276GV, TLE4276GV10, TLE4276GV50, TLE4276GV85
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MCZ3001DB | SHIN | |||||||
MCZ3001DB | 480.00 | |||||||
MCZ3001DB | SHINDENGEN | |||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | 4 | 340.00 | |||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | STMicroelectronics | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | КИТАЙ | ||||||
STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый | ST MICROELECTRO | ||||||
TLE4274DV50 | 646.68 | |||||||
TLE4274DV50 | INFINEON | |||||||
TLE4274DV50XT | INFINEON | |||||||
TLE4274DV50XT | ||||||||
К145АП2 | Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА | 2 | 24.64 | |||||
К145АП2 | Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА | СВЕТЛАНА | 684 | 20.00 | ||||
К145АП2 | Микросхема управления в корпусе ШР-16,15 В, ток не более 2 мА | RUS |
|