4N33M
Оптрон 1 канал Iпр макс=80 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 50%
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Напряжение выходное | 30V |
| Тип входа | DC |
| Ток выходной / канал | 150mA |
| Корпус (размер) | 6-DIP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип выхода | Darlington with Base |
| Vce Saturation (Max) | 1V |
| Current - DC Forward (If) | 80mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 500% @ 10mA |
| Voltage - Isolation | 1500Vrms |
| Количество каналов | 1 |
| Output Type | Darlington with Base |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
4N33M (Оптроны с составным транзистором) Оптрон общего назначения с составным фототранзистором
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MHU-3КОМПЛЕКТ | HSUAN MAO |
|
|
|||||
| К73-9-3300ПФ 630В (5%) |
|
|
||||||
 |
 |
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | 93 | 66.50 | ||
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | ФОТОН | 23 | 100.00 | |
|
|
|
КД2999А |
|
Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс | СЗТП | 12 | 438.60 | |
 |
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 106 | 1 147.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 21 | 805.00 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 171 | 1 250.00 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
|
| КТ825ГМ | 24 | 490.00 | ||||||
| КТ825ГМ | БРЯНСК |
|
|
