Версия для печати
Технические характеристики TCET1103

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Напряжение выходное	70V
Current - DC Forward (If)	60mA
Vce Saturation (Max)	300mV
Тип входа	DC
Current Transfer Ratio (Min)	34% @ 1mA
Current Transfer Ratio (Max)	200% @ 10mA
Корпус (размер)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Тип выхода	Transistor
Ток выходной / канал	50mA
Voltage - Isolation	5000Vrms
Количество каналов	1
Output Type	Transistor

TCET110 (Оптроны) Optocoupler With Phototransistor Output Также в этом файле: TCET1103, TCET1103G, TCET1103G1 Производитель: Vishay //www.vishay.com TCET1103 datasheet 265.08Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5407		Диод 3А, 800В	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	FAIR
		1N5407		Диод 3А, 800В	GENERAL SEMI INSTRUMENTS
		1N5407		Диод 3А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	MOTOROLA
		1N5407		Диод 3А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	DC COMPONENTS	6 484	7.11
		1N5407		Диод 3А, 800В	SMK
		1N5407		Диод 3А, 800В	FAIRCHILD
		1N5407		Диод 3А, 800В	FAIRCHILD
		1N5407		Диод 3А, 800В		1	8.80
		1N5407		Диод 3А, 800В	GENERAL SEMI INSTRUMENTS
		1N5407		Диод 3А, 800В	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	MOTOROLA
		1N5407		Диод 3А, 800В	ON SEMICONDUCTOR
		1N5407		Диод 3А, 800В	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N5407		Диод 3А, 800В	Fairchild Semiconductor
		1N5407		Диод 3А, 800В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5407		Диод 3А, 800В	КИТАЙ
		1N5407		Диод 3А, 800В	DIOTEC	2 415	7.53
		1N5407		Диод 3А, 800В	TSC
		BAS316/T1			NXP
		BAS316/T1			NEXPERIA
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	NXP
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)		4	13.64
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	STMicroelectronics
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	ST MICROELECTRO
		BAT41		Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)	STMICROELECTR
		BCV62A			NXP
		BCV62A
		DAP018A
		DAP018A			ONS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"