H11D2M
Высоковольтный фототранзисторный оптрон
Версия для печати
Технические характеристики H11D2M
| Количество каналов | 1 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Ток выходной / канал | 100mA |
| Current - DC Forward (If) | 80mA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип выхода | Transistor with Base |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Напряжение выходное | 300V |
| Current Transfer Ratio (Min) | 20% @ 2mA |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Тип входа | DC |
| Корпус (размер) | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Output Type | Transistor with Base |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
H11D2M (Оптроны фототранзисторные)
Высоковольтный фототранзисторный оптрон
Производитель:
Fairchild Semiconductor
|
