|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G 5K |
|
|
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
BOURNS
|
5 145
|
47.26
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
|
960
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
945
|
2.31
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
NXP
|
36 964
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
118 528
|
1.45
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
630
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
YJ
|
488 061
|
1.34
|
|
|
|
BC847A |
|
Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
31 200
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
|
2
|
635.04
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
204
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
EVVO
|
9 409
|
11.91
|
|
|
|
RLB0914-471KL |
|
Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
3 318
|
22.58
|
|
|
|
RLB0914-471KL |
|
Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm
|
|
|
75.36
|
|
|
|
RLB0914-471KL |
|
Индуктивность 470μH 0,5A 8,7x12mm
|
ВОURNS
|
|
|
|