|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
BOURNS
|
104
|
81.05
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
|
|
|
|
|
|
3314G-1-104E |
|
Подстроечный резистор 100 кОм
|
0.00
|
|
|
|
|
|
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M
|
BOURNS
|
720
|
157.44
|
|
|
|
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3314G-1-105E |
|
Подстроечный резистор 1M
|
|
|
|
|
|
|
74HC4046AD |
|
|
|
|
|
|
|
|
74HC4046AD |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC4046AD |
|
|
NXP
|
24
|
|
|
|
|
TMA 1205S |
|
DC/DC, 1Вт, вход 10.2-13.2V, выход 5V/200mA, изоляция 1000VDC,корпус SIP7 ...
|
TRACO
|
86
|
446.00
|
|
|
|
TMA 1205S |
|
DC/DC, 1Вт, вход 10.2-13.2V, выход 5V/200mA, изоляция 1000VDC,корпус SIP7 ...
|
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
4 175
|
1.70
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
16
|
6.00
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
960
|
70.85
|
|