BP5041A15
|
Версия для печати
| Output - 1 @ Current (Max) | 15 VDC @ 80 mA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Напряжение входное | 220VAC |
| Power Supply Type | Switching (Closed Frame) |
| Сфера применения | Commercial |
| Мощность (Ватт) | 1W |
| Число выходов | 1 |
| Напряжение выходное | 15V |
| Серия | BP5041 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Size / Dimension | 1.28" L x 0.45" W x 0.76" H (32.5mm x 11.5mm x 19.3mm) |
| Рабочая температура | -25°C ~ 80°C |
| Power (Watts) - Max | 1.2W |
| Efficiency | 64% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AT24C02B-10PU-1.8 | ATMEL | 40 | 48.45 | ||||
|
|
AT24C02B-10PU-1.8 |
|
29.60 | |||||
|
|
AT24C02B-10PU-1.8 | ATMEL CORPORATION |
|
|
||||
|
|
AT24C02B-10PU-1.8 | MICRO CHIP |
|
|
||||
| CM100DU-24F (2X100A, 1200BF) |
|
Тиристор IGBT модуль | MITSUBISHI |
|
|
|||
| CM100DU-24F (2X100A, 1200BF) |
|
Тиристор IGBT модуль |
|
8 544.28 | ||||
 |
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | ST MICROELECTRONICS | 26 | 112.20 | ||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | 1 | 154.80 | |||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NSC |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | TEXAS |
|
|
||
|
|
LF356N |
|
1xOP JFET +-18V LN 12V/us DIP8 | 1 |
|
|
||
| RX27-1 220 ОМ 25W 5% / SQP25 |
|
|
||||||
| К10-17Б 30ПФ NP0 50В |
|
|
