Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Кварцевые резонаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BLM31PG121SN1L		Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...	MURATA	97 196	5.17
		BLM31PG121SN1L		Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...	MUR	19 036	4.15
		BLM31PG121SN1L		Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...	MURATA
		BLM31PG121SN1L		Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...	Murata Electronics North America
		BLM31PG121SN1L		Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...			12.92
		BLM31PG121SN1L		Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...	MURATA*
		BLM31PG121SN1L		Чип-дроссель SMD 1206 (Импеданс на 100MHz=30 Ohm 20%, Idc=0.20A, R=0.45 Ohm ...	MURA
		TME 0509S		DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход 9V/110mA, изоляция 1000VDC, ...	TRACO	1	1 008.05
		TME 0509S		DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход 9V/110mA, изоляция 1000VDC, ...
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	4 188	31.73
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ	508	25.20
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ368А9		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц		1 084	29.44
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	КРЕМНИЙ	7 556	33.90
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	БРЯНСК	13 212	37.80
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	МИНСК
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ814Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"