SQP10AJB-20R

RES 20 OHM 10W 5% WIREWOUND

Версия для печати

Технические характеристики SQP10AJB-20R

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SQP
Сопротивление (Ом)	20
Мощность (Ватт)	10W
Composition	Wirewound
Температурный коэфициент	±300ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Size / Dimension	1.890" L x 0.374" W (48.00mm x 9.50mm)
Высота	0.354" (9.00mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	Axial

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SQP10AJB-20R datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIR
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	PHILIPS
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIRCHILD
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FAIRCHILD
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	PHILIPS	647
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	Fairchild Semiconductor
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NXP
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NXP	8 950
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	FSC
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	ONS
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	ONS-FAIR
BSR14	Транзистор S-N 40В, 0.8A, 0.3, SOT23	NEXPERIA	2 400	9 646.25
GBJ2510			1 629	32.96
GBJ2510		Diodes Inc
GBJ2510		YJ	2 204	35.01
GBJ2510		MIC	376	79.02
GBJ2510		YT
GBJ2510		LIT
GBJ2510		HOTTECH	432	54.12
GBJ2510		YANGJIE
GBJ2510		YANGJIE (YJ)
SQP500JB-100R		Yageo	9 361	12.93
SQP500JB-100R
КТ371А				48.00
КТ371А		СВЕТЛАНА	4	188.70
КТ610Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...		14	1 071.00
КТ610Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...	МИНСК