Версия для печати
Технические характеристики ADG709BRUZ

Корпус	16-TSSOP
Корпус (размер)	16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	1nA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	1.8 V ~ 5.5 V, ±2.5 V
Напряжение питания источника	Single, Dual Supply
Сопротивление (On-State)	4.5 Ohm
Каналы	2 x 4:1
Функция	Multiplexer
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Аналоговые ключи, мультиплексоры, демультиплексоры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	ST MICROELECTRONICS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В		6	54.00
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMEN
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	HGSEMI	1 644	16.38
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 880	4.03
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	210 840	3.37
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	25 825	5.96
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	147 193	3.30
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 800	2.95
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	28 851	9.86
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES	63	471.66
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	Analog Devices Inc
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	США
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	AD1
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	NO NAME
		P4KE6.8A
		P4KE6.8A			MASTER INSTRUMENT CO
		P4KE6.8A			DC COMPONENTS
		P4KE6.8A			OTHER
		P4KE6.8A			Littelfuse Inc
		P4KE6.8A			LTL
		P4KE6.8A			LITTELFUSE
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный		311 109	3.52
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ТОМСК	8	2.00
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	КВАРЦИТ
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	RUS
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НАЛЬЧИК
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ДАЛЕКС
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НИИПП ТОМСК	5 040	35.42

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"