IXFN120N20


Купить IXFN120N20 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN120N20 MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
Версия для печати

Технические характеристики IXFN120N20

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияHiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs17 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C120A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs360nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds9100pF @ 25V
Power - Max600W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFN120N20 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход