APT19M120J
|
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | POWER MOS 8™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 14A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 19A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9670pF @ 25V |
| Power - Max | 545W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
