IXFN20N120
|
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
|
Версия для печати
Технические характеристики IXFN20N120
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HiPerFET™ |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 500mA, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7400pF @ 25V |
Power - Max | 780W |
Тип монтажа | Шасси |
Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | ПГ3-8П5НВ Коммутируемый ток / напряжение от 1?10-4 до 0,5 А / от 0,05 до 250 В Сопротивление контактов / изоляции 0,02 Ом / 1000 МОм Количество коммутаций 12500... 567.60 руб Купить |
 | KPA-2106QWF-E SMD индикатор Купить |
 | DC56-51YWA 7-сегментный двухразрядный светодиодный индикатор с высотой символа 14.22мм (0.56 дюйма) Высота символа 14.22мм (0.56 дюйма). Малый ток потребления ... Купить |