APT22F100J
|
MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | POWER MOS 8™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 23A |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 305nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9835pF @ 25V |
| Power - Max | 545W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | ISOTOP® |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | SM5-00N-115G РљРѕРСВР В РЎВСѓС‚РСвЂР ЎР‚СѓРµРСВый ток / напряженРСвЂР В Р’Вµ 5A 125Р В РІР‚в„ў переРСВ. / 250Р В РІР‚в„ў переРѠРЎРѕРїСЂРѕС‚РСвЂР  Р†Р В»Р ВµР Р…Р СвЂР В Р’Вµ контактов/ Р В РЎвЂР  В·Р С•Р В»РЎРЏРЎвЂ Р СвЂР  С†50 Р В РЎВРћРѠ/ 100 РњРћРѠРљРѕР»РСвЂР ЎвЂЎР ВµРЎРѓРЎвЂљР Р†Р С• переключенРСвЂР  в„– Р В РЎВех.- 1000000, ... 16.01 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | Р В РІР‚в„ўР В РЎв„ў-43-21-02131 2Р РџСЂРСвЂР В РЎВеняются впультах управленРСвЂР РЋР РЏ, электрошкафах РїРѕРТвЂР  Р†Р СвЂР  В¶Р Р…ых РцстацРСвЂР  С•Р Р…арных электроустановок РІРїСЂРѕРСВышленноРѠРѕР±РѕСЂСѓРТвЂР  С•Р Р†Р В°Р Р…Р СвЂР  С†Р С†Р Р…Р В° объектах электроэнергетРСвЂР  С”Р СвЂ.... 460.00 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | TMA 2405D Dc/dc конвертер серРСвЂР  С†tma Р В РЎВощностью 1 ватт, нерегулРСвЂР ЎР‚СѓРµРСВый выхоРТвЂР  С›РЎРѓР С•Р В±Р ВµР Р…РЅРѕСЃС‚РСвЂ: РљРѕРСВпактный РєРѕСЂРїСѓСЃ SIP-6 РћРТвЂР  Р…Р С•- РцРТвЂР  Р†РЎС“С…-выхоРТвЂР  Р…ые Р В РЎВРѕРТвЂР  ВµР В»Р С†Р СњР В°Р С—ряженРСвЂР В Р’Вµ Р В РЎвЂР  В·Р С•Р В»... 742.41 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
