IXFN32N120


Купить IXFN32N120 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN32N120 MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Версия для печати

Технические характеристики IXFN32N120

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs350 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C32A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs400nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds15900pF @ 25V
Power - Max780W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFN32N120 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход