IXFN320N17T2
|
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | GigaMOS™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 60A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 170V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 260A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 640nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 45000pF @ 25V |
| Power - Max | 1070W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
