APT80M60J
|
MOSFET N-CH 600V 80A SOT-227 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | POWER MOS 8™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 60A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 600nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 24000pF @ 25V |
| Power - Max | 960W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | SDM30-12S15 Sdm30-12s15 - dc/dc преобразователь Р Сощностью 30 Р ІС‚, РєРѕСЂРїСѓСЃ: pcb 2x2 inch Купить |
 | VLME23Q2T1 Мощный Р Синиатюрный светодиод Купить |
 | 2N7002KA N-channel trenchmos fet Купить |
