APTM120DA30T1G


Купить APTM120DA30T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
APTM120DA30T1G MOSFET N-CH 1200V 31A SP1 MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Версия для печати

Технические характеристики APTM120DA30T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs360 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C31A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs560nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds14560pF @ 25V
Power - Max657W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SP1
КорпусSP1
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


APTM120DA30T1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход