APTM100H80FT1G
|
MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1
|
Версия для печати
Технические характеристики APTM100H80FT1G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 960 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3876pF @ 25V |
| Power - Max | 208W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SP1 |
| Корпус | SP1 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
