APTM10DHM09TG
|
MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
|
Версия для печати
Технические характеристики APTM10DHM09TG
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | 2 N-Channel (Asymmetrical Bridge) |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 139A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9875pF @ 25V |
Power - Max | 390W |
Тип монтажа | Шасси |
Корпус (размер) | SP4 |
Корпус | SP4 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.