APTM50DAM19G


Купить APTM50DAM19G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
APTM50DAM19G MOSFET N-CH 500V 163A SP6 MOSFET N-CH 500V 163A SP6
Версия для печати

Технические характеристики APTM50DAM19G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5 mOhm @ 81.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C163A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs492nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds22400pF @ 25V
Power - Max1136W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SP6
КорпусSP6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


APTM50DAM19G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход