APTM10DAM02G
|
MOSFET N-CH 100V 495A SP6 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 200A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 495A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1360nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 40000pF @ 25V |
| Power - Max | 1250W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SP6 |
| Корпус | SP6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
