VMO580-02F
|
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
|
Версия для печати
Технические характеристики VMO580-02F
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8 mOhm @ 430A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 580A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2750nC @ 10V |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | Y3-Li |
| Корпус | Y3-Li |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
