APTM10UM02FAG


APTM10UM02FAG (заказ)
APTM10UM02FAG MOSFET N-CH 100V 570A SP6 MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Технические характеристики APTM10UM02FAG

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 mOhm @ 200A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C570A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs1360nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds40000pF @ 25V
Power - Max1660W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SP6
КорпусSP6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru