APTM20DHM10G
|
MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6
|
Версия для печати
Технические характеристики APTM20DHM10G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Asymmetrical Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 87.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 175A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 224nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 13700pF @ 25V |
| Power - Max | 694W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SP6 |
| Корпус | SP6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
