APTM50DHM35G
|
MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
|
Версия для печати
Технические характеристики APTM50DHM35G
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Asymmetrical Bridge) |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 49.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 99A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| Power - Max | 781W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SP6 |
| Корпус | SP6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
