APTM50DHM35G


Купить APTM50DHM35G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
APTM50DHM35G MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6 MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
Версия для печати

Технические характеристики APTM50DHM35G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET Type2 N-Channel (Asymmetrical Bridge)
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs39 mOhm @ 49.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C99A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs280nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds14000pF @ 25V
Power - Max781W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SP6
КорпусSP6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


APTM50DHM35G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход