APTM120U10DAG
|
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 116A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 20mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 28900pF @ 25V |
| Power - Max | 3290W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SP6 |
| Корпус | SP6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
