IXFN150N10


Купить IXFN150N10 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IXFN150N10 MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Версия для печати

Технические характеристики IXFN150N10

Lead Free Status / RoHS StatusRequest inventory verification / Request inventory verification
СерияHiPerFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 75A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C150A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs360nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds9000pF @ 25V
Power - Max520W
Тип монтажаШасси
Корпус (размер)SOT-227-4, miniBLOC
КорпусSOT-227B
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IXFN150N10 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход