APTM50UM19SG
|
MOSFET N-CH 500V 163A J3 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 81.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 163A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 492nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 22400pF @ 25V |
| Power - Max | 1136W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | J3 Module |
| Корпус | Module |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
