GA500TD60U
Тиристор IGBT модуль
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 500A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 46.8nF @ 30V |
| Power - Max | 1550W |
| Вход | Standard |
| NTC Thermistor | Нет |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | Dual INT-A-PAK (3 + 8) |
| Корпус | Dual INT-A-PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
GA500TD60U (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Half-bridge IGBT Dual Int-a-pak
Производитель:
|
 | MPW-8 вилка Р Р…Р В° плату 5.08Р СР С Р С—РЎР‚РЎРЏР Сая 15.84 СЂСѓР± Купить |
 | MBR25H60CT Сдвоенный, РЎРѓ Р С•Р В±РЎвЂ°Р С‘Р С Р С”Р В°РЎвЂљР С•Р Т‘Р С•Р С, РґРёРѕРґ шотки. улучшенная технология барьера для повышения теРСпературы перехода Защита РѕС‚ перенапряжения Малая потеря Р Сощно... Купить |
 | MAX1110 +2.7 Р Р†, СЌРєРѕРЅРѕРСичные, 8-Р СР С‘ разрядные, Р Сногоканальные, последовательные ацпОсобенности: Однополярное питание РѕС‚ +2.7 Р’ Р Т‘Р С• + 5.5 Р’ РќРёР·РєРёР№ потребляеРСый... Купить |
