OPB860N11
|
SWITCH IR PHOTO TRANS PC MNT
|
Версия для печати
Технические характеристики OPB860N11
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Sensing Distance | 0.125" (3.18mm) |
| Метод считывания | Transmissive |
| Output Configuration | Phototransistor |
| Current - DC Forward (If) | 50mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | Module, Pre-Wired |
| Тип | Unamplified |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | IRFD214
Hexfet® power mosfet
Купить |
 | PHK12NQ10T
N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
Купить |
 | FQP4N90C
N-канальный тарнзистор MOSFETНапряжение сток/ исток  900ВТок стока  4АМощность рассеиваемая  140ВтМаксимальная температура ...
Купить |
