OPB860N11
|
SWITCH IR PHOTO TRANS PC MNT
|
Версия для печати
Технические характеристики OPB860N11
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Sensing Distance | 0.125" (3.18mm) |
Метод считывания | Transmissive |
Output Configuration | Phototransistor |
Current - DC Forward (If) | 50mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Тип монтажа | Шасси |
Корпус (размер) | Module, Pre-Wired |
Тип | Unamplified |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | IRFD214 Hexfet® power mosfet Купить |
 | PHK12NQ10T N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet Купить |
 | FQP4N90C N-канальный тарнзистор MOSFETНапряжение сток/ исток  900ВТок стока  4АМощность рассеиваемая  140ВтМаксимальная температура ... Купить |