IRFIBF30G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFIBF30G		424.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFIBF30G

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	35W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack, Isolated
Корпус	TO-220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFIBF30G (N-канальные транзисторные модули)

Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =3.7ohm, Id=1.9a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFIBF30G datasheet
170.74Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1556	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	CHINA
2SD1556	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA
2SD1556	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W			95.88
2SD1556	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD1556	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	США
2SD1556	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
2SD1556	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
CBB-81 2200PF 2000 V 10%			51	18.15
CBB-81 2200PF 2000 V 5%
LA4108	Усилитель низкой частоты 2x5.3W (13V/4 Ом)	SANYO
LA4108	Усилитель низкой частоты 2x5.3W (13V/4 Ом)		1	362.88
LA4108	Усилитель низкой частоты 2x5.3W (13V/4 Ом)	SAN
LA4108	Усилитель низкой частоты 2x5.3W (13V/4 Ом)	СИНГАПУР
LA4108	Усилитель низкой частоты 2x5.3W (13V/4 Ом)	1
Y5P-680ПФ 2К (10%)