Версия для печати
Технические характеристики 2N5638

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	50mA @ 20V
FET Type	N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	30V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	10pF @ 12V (VGS)
Resistance - RDS(On)	30 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3
Power - Max	350mW

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые с p-n-переходом)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AS-404			TALEMA
		AS-404					624.00
		AS-404			ИНДИЯ
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
		IRG4PC50WPBF		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			40.56
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA	17
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	США
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMI/FAIRCH
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ONSEMICONDUCTOR
		MMBD7000LT1			ON SEMICONDUCTOR
		MMBD7000LT1			INFINEON
		MMBD7000LT1			MOTOROLA
		MMBD7000LT1			MOTOROLA	52
		MMBD7000LT1			ON SEMICONDUCTOR	3 265
		MMBD7000LT1			Infineon Technologies
		MMBD7000LT1			INFINEON	2 084
		КТ399АМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...			38.20
		КТ399АМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...	СВЕТЛАНА	80	43.35
		КТ399АМ		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный с ...	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"