NE85619-T1-A
|
TRANSISTOR NPN 1GHZ SMD |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Frequency - Transition | 4.5GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Gain | 6.5dB ~ 12.5dB |
| Power - Max | 100mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | 3-SuperMiniMold |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
