NESG3032M14-T3-A
|
TRANS NPN 2GHZ M14 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.3V |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 2GHz |
| Gain | 17.5dB |
| Power - Max | 150mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 6mA, 2V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | M14 |
| Корпус | 4L2MM, M14 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
