NE662M16-A
|
TRANSISTOR NPN 2GHZ M16 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.3V |
| Frequency - Transition | 25GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| Gain | 20dB |
| Power - Max | 115mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 2V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | M16 |
| Корпус | M16 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
