NESG2101M16-A
|
TRANS NPN 2GHZ M16 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
| Frequency - Transition | 17GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz |
| Gain | 11dB ~ 13dB |
| Power - Max | 190mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 15mA, 2V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-MINIMOLD |
| Корпус | M16, 1208 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
