![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequency - Transition | 8GHz |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
Gain | 10dB ~ 13.5dB |
Power - Max | 600mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 35mA, 8V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 4-SMD (100 mil) |
Корпус | 100 mil |
AT-42010 (Радиочастотные биполярные транзисторы) Up To 6 Ghz Medium Power Silicon Bipolar Transistor
Производитель:
|
|
Корзина
|