NE68019-T1
|
TRANS NPN 2GHZ SMD |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Gain | 9.6dB ~ 13.5dB |
| Power - Max | 100mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 3V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | 3-SuperMiniMold |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | MTS-112 Предельное напряжение 1000 В AC в теч 1 мин Предельный ток 6 А при 125 В АС 3 А при 250 В АС Сопротивление изоляции 1000 МОм min 500 В DС Сопротивлени... Купить |
 | STP21NM50N N-channel 500v - 0.15? - 18a to-220 second generation mdmesh™ power mosfet Купить |
 | HDSP-4603 Семисегментный светодиодный индикатор, высота символа 10.9 мм (0.43") Купить |
