NST847BPDP6T5G
|
Версия для печати
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V |
| Power - Max | 350mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-963 |
| Корпус | SOT-963 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
