EMB10T2R

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
EMB10T2R (ROHM.)	7 088	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики EMB10T2R

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250MHz
Power - Max	150mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	EMT6
Корпус	EMT6

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.