NSBA123JDXV6T1G


Купить NSBA123JDXV6T1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NSBA123JDXV6T1G TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
Версия для печати

Технические характеристики NSBA123JDXV6T1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 03/Apr/2007
Transistor Type2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max500mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-563
КорпусSOT-563
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NSBA123JDXV6T1G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход