PEMD18,115
|
TRANS PREBIASED DUAL SOT666 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 300mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-666 |
| Корпус | SOT-666 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
